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DMNH10H028SCT

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	DMNH10H028SCT
説明:	MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	Automotive, AEC-Q101
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	28mOhm @ 20A, 10V
電力放蕩(マックス)	2.8W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	TO-220AB
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	31.9nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1942pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c	60A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V