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DMNH10H028SPSQ-13

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: DMNH10H028SPSQ-13
説明: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 28mOhm @ 20A, 10V
電力放蕩(マックス) 1.6W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ PowerDI5060-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2245pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 40A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 2445 pcs

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