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DMP1012UCB9-7

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	DMP1012UCB9-7
説明:	MOSFET P-CH 8V 10A
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	P-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	-6V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	9-UFBGA, WLBGA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	10mOhm @ 2A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	890mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	U-WLB1515-9
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	8V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1060pF @ 4V
現在25%で安全連続(id) @°c	10A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	2.5V, 4.5V