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DMT10H015LFG-7

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: DMT10H015LFG-7
説明: MOSFET N-CH 100V 10A
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 13.5mOhm @ 20A, 10V
電力放蕩(マックス) 2W (Ta), 35W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PowerDI3333-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 33.3nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1871pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 10A (Ta), 42A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 6V, 10V

在庫が 1218 pcs

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