Image is for reference only , details as Specifications

DMT3009LFVWQ-13

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	DMT3009LFVWQ-13
説明:	MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	Automotive, AEC-Q101
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount, Wettable Flank
パケット/場合	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	11mOhm @ 14.4A, 10V
電力放蕩(マックス)	2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	823pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	12A (Ta), 50A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	3.8V, 10V