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DMT3011LDT-7

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	DMT3011LDT-7
説明:	MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	-
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Standard
部地位	Active
-マックス	1.9W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-VDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 155°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	20mOhm @ 6A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	V-DFN3030-8 (Type K)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	13.2nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	641pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	8A, 10.7A