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DMT6007LFGQ-13

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	DMT6007LFGQ-13
説明:	MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	Automotive, AEC-Q101
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	6mOhm @ 20A, 10V
電力放蕩(マックス)	2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PowerDI3333-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	41.3nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2090pF @ 30V
現在25%で安全連続(id) @°c	15A (Ta), 80A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V