Image is for reference only , details as Specifications

DMT6009LFG-13

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	DMT6009LFG-13
説明:	MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±16V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	10mOhm @ 13.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PowerDI3333-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	33.5nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1925pF @ 30V
現在25%で安全連続(id) @°c	11A (Ta), 34A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V