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DMT6018LDR-7

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	DMT6018LDR-7
説明:	MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	-
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Tape & Reel (TR)
fet特徴	Standard
部地位	Active
-マックス	1.9W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	17mOhm @ 8.2A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	V-DFN3030-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	13.9nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	869pF @ 30V
現在25%で安全連続(id) @°c	8.8A (Ta)