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DMT8012LSS-13

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: DMT8012LSS-13
説明: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ Automotive, AEC-Q101
fet234タイプ N-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 16.5mOhm @ 12A, 10V
電力放蕩(マックス) 1.5W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 80V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1949pF @ 40V
現在25%で安全連続(id) @°c 9.7A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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