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DP0150BLP4-7

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: DP0150BLP4-7
説明: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 450mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 3-XFDFN
トランジスタタイプ NPN
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 80MHz
サプライヤー装置パッケージ X2-DFN1006-3
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 10mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 200 @ 2mA, 6V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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