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DP0150BLP4-7B

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート:	DP0150BLP4-7B
説明:	TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006H4-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Active
-マックス	450mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	3-XFDFN
トランジスタタイプ	PNP
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移	80MHz
サプライヤー装置パッケージ	X2-DFN1006-3
vイス(Max) @ Ib、Ic	300mV @ 10mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	200 @ 2mA, 6V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V