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DRDPB26W-7

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: DRDPB26W-7
説明: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT363
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Discontinued at Digi-Key
-マックス 200mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
トランジスタタイプ PNP - Pre-Biased + Diode
ベース部材番号 DRDPB26
抵抗基地(R1) 220 Ohms
周波数-遷移 200MHz
サプライヤー装置パッケージ SOT-363
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 4.7 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
現在-コレクター・Ic (Max) 600mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 47 @ 50mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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