画像は参考までに、仕様書を参照してください
HBDM60V600W-7
| メーカー: | Diodes Incorporated |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| データシート: | HBDM60V600W-7 |
| 説明: | TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| シリーズ | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 200mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| トランジスタタイプ | NPN, PNP |
| ベース部材番号 | HBDM60V600 |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 100MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | SOT-363 |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 500mA, 600mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 100nA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 65V, 60V |
在庫が 10604 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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