画像は参考までに、仕様書を参照してください

MIMD10A-7-F

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート:	MIMD10A-7-F
説明:	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Active
-マックス	200mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
トランジスタタイプ	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
ベース部材番号	MD10A
抵抗基地(R1)	100Ohms, 10kOhms
周波数-遷移	250MHz, 200MHz
サプライヤー装置パッケージ	SOT-363
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	10kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic	300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA, 500mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	100 @ 1mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V