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MMBT2222ALP4-7B

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: MMBT2222ALP4-7B
説明: TRANS NPN 40V 0.6A 3DFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ Automotive, AEC-Q101
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 460mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 3-XFDFN
トランジスタタイプ NPN
ベース部材番号 MMBT2222A
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 300MHz
サプライヤー装置パッケージ X2-DFN1006-3
vイス(Max) @ Ib、Ic 1V @ 50mA, 500mA
現在-コレクター・Ic (Max) 600mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 10nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 100 @ 150mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 40V

在庫が 223127 pcs

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