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MMBTH10-7

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
データシート: MMBTH10-7
説明: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - RF
利得 -
シリーズ -
包装 Cut Tape (CT)
部地位 Discontinued at Digi-Key
-マックス 300mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ NPN
ベース部材番号 MMBTH10
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 650MHz
サプライヤー装置パッケージ SOT-23-3
騷音図(dB Typ @ f) -
現在-コレクター・Ic (Max) 50mA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 60 @ 4mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 25V

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