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UMG4N-7

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: UMG4N-7
説明: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Active
-マックス 150mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
トランジスタタイプ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
抵抗基地(R1) 10kOhms
周波数-遷移 250MHz
サプライヤー装置パッケージ SOT-353
抵抗器−送信機基地(R2−R2) -
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 1mA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) -
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 100 @ 1mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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