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ZXMN10A08DN8TA

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: ZXMN10A08DN8TA
説明: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Cut Tape (CT)
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 1.25W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min)
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 250mOhm @ 3.2A, 10V
サプライヤー装置パッケージ 8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 405pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 1.6A

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