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ZXMN3A06DN8TA

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	ZXMN3A06DN8TA
説明:	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	-
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Cut Tape (CT)
fet特徴	Logic Level Gate
部地位	Active
-マックス	1.8W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	35mOhm @ 9A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	17.5nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	796pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	4.9A