画像は参考までに、仕様書を参照してください

ZXMN3B04N8TA

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	ZXMN3B04N8TA
説明:	MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	±12V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	25mOhm @ 7.2A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	2W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	23.1nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2480pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	7.2A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	2.5V, 4.5V