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ZXMNS3BM832TA

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: ZXMNS3BM832TA
説明: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 Schottky Diode (Isolated)
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-VDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 1W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 8-MLP, MicroFET (3x2)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 314pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 2A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 2.5V, 4.5V

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