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ZXTP2013GTA

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: ZXTP2013GTA
説明: TRANS PNP 100V 5A SOT223
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Cut Tape (CT)
部地位 Active
-マックス 3W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-261-4, TO-261AA
トランジスタタイプ PNP
ベース部材番号 ZXTP2013
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 125MHz
サプライヤー装置パッケージ SOT-223
vイス(Max) @ Ib、Ic 340mV @ 400mA, 4A
現在-コレクター・Ic (Max) 5A
トラッキング・キュートフ(マックス) 20nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 100 @ 1A, 1V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 100V

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