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EPC2012C

メーカー:	EPC
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	EPC2012C
説明:	GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	EPC
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	eGaN®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	+6V, -4V
技術	GaNFET (Gallium Nitride)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	Die
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
作動温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	100mOhm @ 3A, 5V
電力放蕩(マックス)	-
サプライヤー装置パッケージ	Die Outline (4-Solder Bar)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	1.3nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	5A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	5V