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EPC2016C

メーカー: EPC
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: EPC2016C
説明: GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー EPC
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ eGaN®
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max +6V, -4V
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 16mOhm @ 11A, 5V
電力放蕩(マックス) -
サプライヤー装置パッケージ Die
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 18A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 5V

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いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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