EPC2016C
メーカー: | EPC |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | EPC2016C |
説明: | GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | EPC |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | eGaN® |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
vgs max | +6V, -4V |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
fet特徴 | - |
部地位 | Active |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | Die |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
作動温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 16mOhm @ 11A, 5V |
電力放蕩(マックス) | - |
サプライヤー装置パッケージ | Die |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 5V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 100V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 50V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 18A (Ta) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 5V |
在庫が 317500 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.01 | $0.99 | $0.97 |
最小: 1