画像は参考までに、仕様書を参照してください
EPC2102ENG
| メーカー: | EPC |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| データシート: | EPC2102ENG |
| 説明: | GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | EPC |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | eGaN® |
| fet234タイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 包装 | Tray |
| fet特徴 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 部地位 | Discontinued at Digi-Key |
| -マックス | - |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| 作動温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 5V |
| サプライヤー装置パッケージ | Die |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 60V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 30V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 23A |
在庫が 73 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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