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EPC2103ENGRT

メーカー: EPC
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: EPC2103ENGRT
説明: GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー EPC
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ eGaN®
fet234タイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 GaNFET (Gallium Nitride)
部地位 Active
-マックス -
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA
Rdsデータ(Max) @ Vgs 5.5mOhm @ 20A, 5V
サプライヤー装置パッケージ Die
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 80V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 7600pF @ 40V
現在25%で安全連続(id) @°c 23A

在庫が 5256 pcs

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