EPC2104ENG
メーカー: | EPC |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
データシート: | EPC2104ENG |
説明: | GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | EPC |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
シリーズ | eGaN® |
fet234タイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
包装 | Tray |
fet特徴 | GaNFET (Gallium Nitride) |
部地位 | Discontinued at Digi-Key |
-マックス | - |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | Die |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5.5mA |
作動温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 6.3mOhm @ 20A, 5V |
サプライヤー装置パッケージ | Die |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 5V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 100V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 50V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 23A |
在庫が 92 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1