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EPC2104ENG

メーカー: EPC
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: EPC2104ENG
説明: GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー EPC
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ eGaN®
fet234タイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
包装 Tray
fet特徴 GaNFET (Gallium Nitride)
部地位 Discontinued at Digi-Key
-マックス -
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 5.5mA
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 6.3mOhm @ 20A, 5V
サプライヤー装置パッケージ Die
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 23A

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