画像は参考までに、仕様書を参照してください

EPC2107

メーカー: EPC
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: EPC2107
説明: GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー EPC
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ eGaN®
fet234タイプ 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 GaNFET (Gallium Nitride)
部地位 Discontinued at Digi-Key
-マックス -
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 9-VFBGA
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
サプライヤー装置パッケージ 9-BGA (1.35x1.35)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 1.7A, 500mA

在庫が 80 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

DMG4822SSDQ-13
Diodes Incorporated
$0.33
DMT3009LDT-7
Diodes Incorporated
$0
FC8J33040L
Panasonic Electronic Components
$0.88
SQJ956EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
AONY36354
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0.93