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EPC2110ENGRT

メーカー:	EPC
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	EPC2110ENGRT
説明:	GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	EPC
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	eGaN®
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual) Common Source
包装	Digi-Reel®
fet特徴	GaNFET (Gallium Nitride)
部地位	Active
-マックス	-
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	Die
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 700µA
作動温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	60mOhm @ 4A, 5V
サプライヤー装置パッケージ	Die
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	0.8nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	120V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	80pF @ 60V
現在25%で安全連続(id) @°c	3.4A