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EPC8009

メーカー:	EPC
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	EPC8009
説明:	GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	EPC
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	eGaN®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	+6V, -4V
技術	GaNFET (Gallium Nitride)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	Die
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
作動温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	130mOhm @ 500mA, 5V
電力放蕩(マックス)	-
サプライヤー装置パッケージ	Die
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	0.45nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	65V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	52pF @ 32.5V
現在25%で安全連続(id) @°c	2.7A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	5V