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GS8160E36DGT-200V
| メーカー: | GSI Technology |
|---|---|
| 対象品目: | Accessories |
| データシート: | GS8160E36DGT-200V |
| 説明: | SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| rohs | Details |
| タイプ | DCD Synchronous Burst |
| ブランド | GSI Technology |
| シリーズ | GS8160E36DGT |
| 包装 | Tray |
| tradename|UNK|UNK|UNK | SyncBurst |
| アクセス時間 | 6.5 ns |
| メモリサイズ | 18 Mbit |
| メモリタイプ | SDR |
| subcategory | Memory & Data Storage |
| メーカー | GSI Technology |
| 組織 | 512 k x 36 |
| 商品类型 | SRAM |
| インターフェースタイプ | Parallel |
| 取付スタイル | SMD/SMT |
| パケット/場合 | TQFP-100 |
| 対象品目 | SRAM |
| 水分敏感な | Yes |
| サプライ电流- Max | 205 mA, 210 mA |
| 供給電圧- Max | 2.7 V |
| 供給電圧- Min | 1.7 V |
| 工場パック量 | 18 |
| 最大クロック周波数 | 200 MHz |
| 最大動作温度 | + 70 C |
| 最小運営温度 | 0 C |
在庫が 53 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $23.38 | $22.91 | $22.45 |
最小: 1
要求引用
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