1N8031-GA
メーカー: | GeneSiC Semiconductor |
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対象品目: | Diodes - Rectifiers - Single |
データシート: | 1N8031-GA |
説明: | DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | GeneSiC Semiconductor |
対象品目 | Diodes - Rectifiers - Single |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | - |
包装 | Tube |
ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
部地位 | Obsolete |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-276AA |
ベース部材番号 | 1N8031 |
容量@ Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz |
サプライヤー装置パッケージ | TO-276 |
反転回復時間(trr) | 0ns |
逆流漏れ@ Vr | 5µA @ 650V |
電圧—DCリバースパス(Vr) (Max | 650V |
電流-平均整流器(Io) | 1A |
操作温度-接合部 | -55°C ~ 250°C |
-前进(Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 1A |
在庫が 99 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1