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1N8032-GA

メーカー: GeneSiC Semiconductor
対象品目: Diodes - Rectifiers - Single
データシート: 1N8032-GA
説明: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー GeneSiC Semiconductor
対象品目 Diodes - Rectifiers - Single
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ -
包装 Tube
ダイオードタイプ Silicon Carbide Schottky
部地位 Obsolete
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-257-3
ベース部材番号 1N8032
容量@ Vr, F 274pF @ 1V, 1MHz
サプライヤー装置パッケージ TO-257
反転回復時間(trr) 0ns
逆流漏れ@ Vr 5µA @ 650V
電圧—DCリバースパス(Vr) (Max 650V
電流-平均整流器(Io) 2.5A
操作温度-接合部 -55°C ~ 250°C
-前进(Vf) (Max) @ If 1.3V @ 2.5A

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