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GA04JT17-247

メーカー: GeneSiC Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: GA04JT17-247
説明: TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー GeneSiC Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ -
包装 Tube
vgs max -
技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
作動温度 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 480mOhm @ 4A
電力放蕩(マックス) 106W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-247AB
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 1700V
現在25%で安全連続(id) @°c 4A (Tc) (95°C)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) -

在庫が 27 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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