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GA06JT12-247

メーカー: GeneSiC Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: GA06JT12-247
説明: TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー GeneSiC Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ -
包装 Tube
vgs max -
技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
作動温度 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 220mOhm @ 6A
電力放蕩(マックス) -
サプライヤー装置パッケージ TO-247AB
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 1200V
現在25%で安全連続(id) @°c 6A (Tc) (90°C)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) -

在庫が 71 pcs

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