GA100JT12-227
メーカー: | GeneSiC Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | GA100JT12-227 |
説明: | TRANS SJT 1200V 160A SOT227 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | GeneSiC Semiconductor |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | - |
fet234タイプ | - |
包装 | Tube |
vgs max | - |
技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
fet特徴 | - |
部地位 | Obsolete |
取付タイプ | Chassis Mount |
パケット/場合 | SOT-227-4, miniBLOC |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 10mOhm @ 100A |
電力放蕩(マックス) | 535W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | SOT-227 |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 1200V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 800V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 160A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | - |
在庫が 95 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1