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GA100JT12-227

メーカー: GeneSiC Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: GA100JT12-227
説明: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー GeneSiC Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ -
包装 Tube
vgs max -
技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Chassis Mount
パケット/場合 SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id -
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 10mOhm @ 100A
電力放蕩(マックス) 535W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ SOT-227
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 1200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 800V
現在25%で安全連続(id) @°c 160A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) -

在庫が 95 pcs

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最小: 1

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