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GA10JT12-247
| メーカー: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | GA10JT12-247 |
| 説明: | TRANS SJT 1.2KV 10A |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | - |
| fet234タイプ | - |
| 包装 | Tube |
| vgs max | - |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Obsolete |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-247-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| 作動温度 | 175°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 140mOhm @ 10A |
| 電力放蕩(マックス) | 170W (Tc) |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-247AB |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 1200V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 10A (Tc) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | - |
在庫が 96 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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