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GA10SICP12-263

メーカー:	GeneSiC Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	GA10SICP12-263
説明:	TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	GeneSiC Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	-
包装	Tube
vgs max	-
技術	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (Max) @ Id	-
作動温度	175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	100mOhm @ 10A
電力放蕩(マックス)	170W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	D2PAK (7-Lead)
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	1200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1403pF @ 800V
現在25%で安全連続(id) @°c	25A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	-