Image is for reference only , details as Specifications

GA50JT12-247

メーカー:	GeneSiC Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	GA50JT12-247
説明:	TRANS SJT 1.2KV 50A
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	GeneSiC Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	-
包装	Tube
vgs max	-
技術	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	-
作動温度	175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	25mOhm @ 50A
電力放蕩(マックス)	583W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-247AB
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	1200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	7209pF @ 800V
現在25%で安全連続(id) @°c	100A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	-