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GB05SLT12-252

メーカー: GeneSiC Semiconductor
対象品目: Diodes - Rectifiers - Single
データシート: GB05SLT12-252
説明: DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー GeneSiC Semiconductor
対象品目 Diodes - Rectifiers - Single
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ -
包装 Bulk
ダイオードタイプ Silicon Carbide Schottky
部地位 Not For New Designs
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ベース部材番号 GB05SLT12
容量@ Vr, F 260pF @ 1V, 1MHz
サプライヤー装置パッケージ TO-252
反転回復時間(trr) 0ns
逆流漏れ@ Vr 50µA @ 1200V
電圧—DCリバースパス(Vr) (Max 1200V
電流-平均整流器(Io) 5A
操作温度-接合部 -55°C ~ 175°C
-前进(Vf) (Max) @ If 1.8V @ 2A

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