画像は参考までに、仕様書を参照してください
GB05SLT12-252
| メーカー: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Diodes - Rectifiers - Single |
| データシート: | GB05SLT12-252 |
| 説明: | DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 対象品目 | Diodes - Rectifiers - Single |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 包装 | Bulk |
| ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
| 部地位 | Not For New Designs |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ベース部材番号 | GB05SLT12 |
| 容量@ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-252 |
| 反転回復時間(trr) | 0ns |
| 逆流漏れ@ Vr | 50µA @ 1200V |
| 電圧—DCリバースパス(Vr) (Max | 1200V |
| 電流-平均整流器(Io) | 5A |
| 操作温度-接合部 | -55°C ~ 175°C |
| -前进(Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 2A |
在庫が 66 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $3.31 | $3.24 | $3.18 |
最小: 1
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