画像は参考までに、仕様書を参照してください

GB10SLT12-220

メーカー: GeneSiC Semiconductor
対象品目: Diodes - Rectifiers - Single
データシート: GB10SLT12-220
説明: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー GeneSiC Semiconductor
対象品目 Diodes - Rectifiers - Single
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ -
包装 Tube
ダイオードタイプ Silicon Carbide Schottky
部地位 Obsolete
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-2
ベース部材番号 GB10SLT12
容量@ Vr, F 520pF @ 1V, 1MHz
サプライヤー装置パッケージ TO-220AC
反転回復時間(trr) 0ns
逆流漏れ@ Vr 40µA @ 1200V
電圧—DCリバースパス(Vr) (Max 1200V
電流-平均整流器(Io) 10A
操作温度-接合部 -55°C ~ 175°C
-前进(Vf) (Max) @ If 1.8V @ 10A

在庫が 55 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最小: 1

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