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GB10SLT12-252

メーカー: GeneSiC Semiconductor
対象品目: Diodes - Rectifiers - Single
データシート: GB10SLT12-252
説明: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー GeneSiC Semiconductor
対象品目 Diodes - Rectifiers - Single
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ -
包装 Tube
ダイオードタイプ Silicon Carbide Schottky
部地位 Not For New Designs
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ベース部材番号 GB10SLT12
容量@ Vr, F 520pF @ 1V, 1MHz
サプライヤー装置パッケージ TO-252
反転回復時間(trr) 0ns
逆流漏れ@ Vr 250µA @ 1200V
電圧—DCリバースパス(Vr) (Max 1200V
電流-平均整流器(Io) 10A
操作温度-接合部 -55°C ~ 175°C
-前进(Vf) (Max) @ If 2V @ 10A

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