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MBR12030CT

メーカー: GeneSiC Semiconductor
対象品目: Diodes - Rectifiers - Arrays
データシート: MBR12030CT
説明: DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー GeneSiC Semiconductor
対象品目 Diodes - Rectifiers - Arrays
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
包装 Bulk
ダイオードタイプ Schottky
部地位 Active
取付タイプ Chassis Mount
パケット/場合 Twin Tower
ダイオード構成 1 Pair Common Cathode
サプライヤー装置パッケージ Twin Tower
逆流漏れ@ Vr 3mA @ 20V
電圧—DCリバースパス(Vr) (Max 30V
操作温度-接合部 -55°C ~ 150°C
-前进(Vf) (Max) @ If 650mV @ 60A
電流-平均整流器(Io)(1ダイオード) 120A (DC)

在庫が 81 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$65.66 $64.35 $63.06
最小: 1

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