画像は参考までに、仕様書を参照してください
MBR600200CTR
| メーカー: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| データシート: | MBR600200CTR |
| 説明: | DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 対象品目 | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 包装 | Bulk |
| ダイオードタイプ | Schottky |
| 部地位 | Active |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パケット/場合 | Twin Tower |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Anode |
| サプライヤー装置パッケージ | Twin Tower |
| 逆流漏れ@ Vr | 3mA @ 200V |
| 電圧—DCリバースパス(Vr) (Max | 200V |
| 操作温度-接合部 | -55°C ~ 150°C |
| -前进(Vf) (Max) @ If | 920mV @ 300A |
| 電流-平均整流器(Io)(1ダイオード) | 300A |
在庫が 85 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $127.94 | $125.38 | $122.87 |
最小: 1
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