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MSRT200120(A)

メーカー: GeneSiC Semiconductor
対象品目: Diodes - Rectifiers - Arrays
データシート: MSRT200120(A)
説明: DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー GeneSiC Semiconductor
対象品目 Diodes - Rectifiers - Arrays
速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
包装 Bulk
ダイオードタイプ Standard
部地位 Active
取付タイプ Chassis Mount
パケット/場合 Three Tower
ダイオード構成 1 Pair Common Cathode
サプライヤー装置パッケージ Three Tower
逆流漏れ@ Vr 10µA @ 600V
電圧—DCリバースパス(Vr) (Max 1200V
-前进(Vf) (Max) @ If 1.2V @ 200A
電流-平均整流器(Io)(1ダイオード) 200A (DC)

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