MURTA20060
メーカー: | GeneSiC Semiconductor |
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対象品目: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
データシート: | MURTA20060 |
説明: | DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | GeneSiC Semiconductor |
対象品目 | Diodes - Rectifiers - Arrays |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | - |
包装 | Bulk |
ダイオードタイプ | Standard |
部地位 | Active |
取付タイプ | Chassis Mount |
パケット/場合 | Three Tower |
ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode |
サプライヤー装置パッケージ | Three Tower |
逆流漏れ@ Vr | 25µA @ 600V |
電圧—DCリバースパス(Vr) (Max | 600V |
操作温度-接合部 | -55°C ~ 150°C |
-前进(Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 100A |
電流-平均整流器(Io)(1ダイオード) | 100A |
在庫が 68 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$104.63 | $102.54 | $100.49 |
最小: 1