画像は参考までに、仕様書を参照してください
MURTA600120
| メーカー: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| データシート: | MURTA600120 |
| 説明: | DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 対象品目 | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 包装 | Bulk |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 部地位 | Active |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パケット/場合 | Three Tower |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode |
| サプライヤー装置パッケージ | Three Tower |
| 逆流漏れ@ Vr | 25µA @ 1200V |
| 電圧—DCリバースパス(Vr) (Max | 1200V |
| 操作温度-接合部 | -55°C ~ 150°C |
| -前进(Vf) (Max) @ If | 2.6V @ 300A |
| 電流-平均整流器(Io)(1ダイオード) | 300A |
在庫が 90 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $139.17 | $136.39 | $133.66 |
最小: 1
要求引用
下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します
Bargain Finds