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GD25S512MDBIGY

メーカー: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
対象品目: Memory
データシート: GD25S512MDBIGY
説明: NOR FLASH
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
対象品目 Memory
シリーズ -
包装 Tray
技術 FLASH - NOR
メモリサイズ 512Mb (64M x 8)
メモリタイプ Non-Volatile
部地位 Active
メモリフォーマット FLASH
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 24-TBGA
クロック周波数 104MHz
メモリ・インターフェース SPI - Quad I/O
電圧-供給 2.7V ~ 3.6V
作動温度 -40°C ~ 85°C (TA)
サプライヤー装置パッケージ 24-TFBGA (6x8)
サイクル時間−単語,ページを書く 50µs, 2.4ms

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