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GP1M003A080CH

メーカー:	Global Power Technologies Group
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	GP1M003A080CH
説明:	MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Global Power Technologies Group
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	4.2Ohm @ 1.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	94W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-252, (D-Pak)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	800V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	696pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	3A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V